晶飞半导体成功利用自研激光剥离设备实现 12 英寸碳化硅晶圆剥离

9 月 9 日消息，由中国科学院半导体研究所科技成果转化设立的北京晶飞半导体科技有限公司近日宣布，已成功通过自主研制的激光剥离设备完成 12 英寸（300mm）碳化硅（SiC）晶圆的剥离工艺。

这一进展攻克了大尺寸碳化硅晶圆制造中的关键加工难题，终结了国外企业在高端大尺寸 SiC 加工装备领域的长期垄断局面，为 12 英寸 SiC 晶圆的规模化商用铺平了道路。由于更大尺寸晶圆具备更高的面积利用率，可显著减少晶边损耗，并提升单次加工产能，相较传统的 6 英寸晶圆，其单位芯片制造成本有望下降 30% 至 40%。