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内存涨价拖累新品面世:消息称已有模组企业调整原定产品规划

内存涨价拖累新品面世:消息称已有模组企业调整原定产品规划
11 月 17 日消息,受 ai 技术迅猛发展的推动,市场对 hbm、lpddr5x、ddr5 等服务器级 dram 产品的需求激增,导致消费级内存价格迎来显著上涨。这一趋势不仅推高了整机系统的售价,抑制了 diy 用户的装机热情,也对内存模组行业的整体发展带来了负面影响。 ▲ 图源:相关评测据德国媒体 Hardwareluxx 报道,多家内存模组厂商透露,原计划于今年下半年发布的部分新型号或新规格内存条将推迟上市,甚至可能取消发布。这些企业正选择观望 DRAM 市场价格在...

市占率达34.8%!三星第三季度DRAM销量重夺市场第一

市占率达34.8%!三星第三季度DRAM销量重夺市场第一
11月20日,据相关报道,三星电子在2023年第三季度重回全球dram市场销售额榜首,得益于高带宽内存(hbm)出货量大幅上升以及通用dram产品价格持续攀升,带动其季度营收创下新高。 根据市场研究机构ChinaFlashMarket(CFM)于11月19日发布的最新数据,三星电子该季度DRAM销售收入达到139.42亿美元,较上一季度增长29.6%,市场份额回升至34.8%,重新夺回全球第一的位置。 今年上半年,受HBM市场需求波动影响,三星一度被竞争对手超越;但从第三季度...

Counterpoint:内存价格还要涨50%!

Counterpoint:内存价格还要涨50%!
11月19日消息,根据counterpoint research最新一期的双周报告《生成式人工智能内存解决方案》,2025年第四季度内存价格预计上涨30%,明年初可能上涨20%,此前年初已有50%的价格上涨。 目前,传统LPDDR4面临的涨价风险最大。 导致此次内存上涨的关键问题就是供应商为满足AI需求而转向更先进芯片,导致LPDDR4、DDR4等老旧规格供应紧张,这正在扭曲市场。 Counterpoint预测,2026年全球主要DRAM厂商产能增幅将超20%,如三星计划重...

内存涨价刹不住车!三星、SK海力士四季度DRAM涨幅超预期

内存涨价刹不住车!三星、SK海力士四季度DRAM涨幅超预期
11月24日,受人工智能强劲需求拉动,dram市场正迎来一轮被称为“超级周期”的繁荣阶段,韩国两大存储巨头三星电子与sk海力士成为最大赢家。 随着高附加值产品及传统DRAM订单激增,行业分析指出,两家公司预计在2025年第四季度的DRAM平均销售价格(ASP)将显著攀升,涨幅甚至超出此前预估水平。 据透露,当前内存市场的供应紧张不仅体现在高端产品线,更蔓延至通用型产品。由于主要厂商将大量产能转向HBM(高带宽内存)生产,大幅压缩了DDR4等常规DRAM的产出比例,导致用于智能...

减产故意放纵涨价!三星、SK海力士拒绝扩大内存产量:赚钱优先

减产故意放纵涨价!三星、SK海力士拒绝扩大内存产量:赚钱优先
12月2日,尽管内存价格持续飙升,全球两大存储巨头三星与sk海力士却并未计划扩大产能,而是将重心放在利润最大化上。 目前,这两家企业合计掌控着超过70%的内存市场产量。面对所谓的“内存超级周期”,双方均强调其战略核心是维持长期盈利能力,而非盲目扩产。 据韩国媒体披露,三星和SK海力士已对未来几个季度的市场走势做出预判——内存供应紧张的局面将持续存在,短缺问题短期内难以缓解。 “我们不会急于扩建生产线,而是采取审慎的资本支出(CAPEX)策略,在客户需求与市场价格之间寻求平衡,...

DIY玩家史上最艰难时刻:三星、SK海力士、美光联手放纵内存涨价!

DIY玩家史上最艰难时刻:三星、SK海力士、美光联手放纵内存涨价!
12月4日消息,刚刚,美光再度在内存价格持续飙升的“伤口”上撒了一把盐。 美光宣布,经过审慎评估后作出一项“艰难决定”——全面退出消费级存储市场,停止生产面向PC用户的SSD与内存条产品,这也意味着自1996年创立、已运营近30年的“Crucial(英睿达)”品牌正式终结。 ​​​ 此后,美光将集中全部研发力量、制造产能及供应链资源,全力押注AI数据中心所需的核心存储技术,尤其是高利润、高增长的HBM(高带宽内存)芯片领域。 值得注意的是,就在近期内存价格屡创新高的背景下,全...

华邦电子推出8Gb DDR4 DRAM:16nm制程 用于工业和嵌入式应用

华邦电子推出8Gb DDR4 DRAM:16nm制程 用于工业和嵌入式应用
12月5日,华邦电子正式发布全新8gb ddr4 dram芯片,该产品基于华邦自主研发的16nm先进制程工艺打造,兼具更高运行频率、更低功耗表现以及更强的成本竞争力,广泛适配智能电视、数据中心服务器、网络通信设备、工业控制计算机及各类嵌入式终端等多领域应用场景。 依托16nm制程技术,此次推出的DDR4内存芯片在多项关键指标上实现显著跃升。相较上一代制程,16nm工艺实现了更紧凑的芯片尺寸、更高的单片晶圆良率以及更出色的能效比,使客户无需更改现有封装规格即可实现DRAM容量升...

三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提

三星宣布突破10nm DRAM技术 新型内存容量、性能有望大提
12月17日,据the elec消息,三星联合三星先进技术研究所(sait)已成功研发出一款新型晶体管,可支持在10纳米以下制程节点制造dram芯片。 这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的核心物理瓶颈,从而为下一代智能终端提供更强大的存储容量与运算性能。 当DRAM制程推进至10纳米以下时,传统工艺受限于量子隧穿、漏电加剧及材料稳定性下降等物理效应,微缩难度显著提升。 三星此次推出的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”,展现出卓越的热稳定性——在高达550℃的高温环境...

钰创董事长:内存将短缺到2027年!涨价只是让价值回归合理

钰创董事长:内存将短缺到2027年!涨价只是让价值回归合理
12月18日快讯,钰创科技董事长卢超群发出预警:dram市场供不应求的态势,预计将持续至2027年年中甚至更久。 在已连续三个月涨价、且业内普遍预期2026年价格将进一步走高的背景下,卢超群强调,当前的价格回升并非短期波动,而是DRAM价值向合理水平的回归。他指出,过去多年消费者习惯了内存价格被严重压低,但那种“廉价时代”已一去不返。 卢超群分析称,本轮半导体产业扩张的核心驱动力,来自底层AI应用场景的全面爆发;而人类在制造端的产能建设速度,已明显滞后于这一技术浪潮的演进节奏...

还要大涨!内存市场进入超级牛市 价格已超2018年历史高点

还要大涨!内存市场进入超级牛市 价格已超2018年历史高点
1月7日,据市场研究机构counterpoint research最新发布的行业报告披露,内存市场已正式迈入“超级牛市”周期,当前市场热度与价格水平均已突破2018年创下的历史峰值。 在人工智能应用加速落地及服务器内存容量需求持续爆发的双重驱动下,内存供应商的定价主导权已攀升至前所未有的高度。 数据显示,2025年第四季度内存价格整体飙升40%–50%,Counterpoint预测,2026年第一季度价格将继续上扬40%–50%,而进入第二季度后,涨幅预计仍将维持在约20%的...