三星电子启动1c nm制程dram量产设备采购，计划明年2月投入生产！据韩媒zdnet报道，三星电子近期已向泛林集团等半导体设备厂商订购下一代1c nm制程dram的量产设备，预计明年2月运抵位于韩国平泽p4工厂的首条量产线。
虽然三星尚未公开1c nm（第六代10nm级制程）DRAM的相关信息，但据悉其试生产已取得成功，并获得首批合格晶粒。业内人士分析，三星初期投资规模不会过大，主要原因在于1c nm制程DRAM良率仍需进一步提升。待工艺成熟后，三星将追加投资。...
本站 12 月 19 日消息，韩媒 business korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代（1d）dram 测试线，旨在提升良率，扩大与竞争对手的技术差距，并力争在明年重新夺回 dram 市场的领先地位。
消息称三星已于今年第四季度开始在平泽第二工厂（P2）建设 10 纳米级第七代 DRAM 测试线，又称“one path”线。
该测试线预计将于 2025 年第 1 季度全面建成，用于测试新产品的量产潜力，并提升良率...
本站 12 月 30 日消息，trendforce 集邦咨询表示，2025q1 进入 dram 内存市场淡季阶段。在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下，明年不计入 hbm 的一般型 dram 内存合约价整体将出现 8%~13% 下滑，较本季度降幅扩大 5 个百分点。
PC DRAM
在 PC DRAM 方面，DDR4 合约价将下降 10%~15%、而 DDR5 降幅为较窄的 5%~10%，整体来看下滑 8%~13%。
这主要是因为 2024 年四季度 PC O...
新年伊始，存储芯片市场迎来寒冬。集邦咨询近日发布报告，预测2025年第一季度nand flash和dram合约价将双双下跌。
NAND Flash市场：供需失衡导致价格下跌
报告指出，2025年第一季度NAND Flash市场将面临严峻挑战，主要原因是供过于求。厂商库存持续攀升，而市场需求却持续低迷，预计平均合约价将环比下跌10%到15%。
虽然企业级固态硬盘(Enterprise SSD)订单相对稳定，价格跌幅有所收敛，但客户端固态硬盘(Client SSD)和通用闪存存...
三星电子计划开发传统架构1e nm dram，实现内存技术多元化战略。据韩媒the bell报道，三星电子将于2028年推出采用常规结构的1e nm（第八代10纳米级）制程dram。此举旨在丰富技术储备，为未来商业化提供更多选择。
三星此前的计划是在2026年推出1d nm内存，随后于2027年推出基于4F² VCT创新结构的0a nm内存。但1e nm DRAM的研发，意味着4F² VCT DRAM的量产时间可能推迟到2029年甚至更晚。
▲ 三星 1b nm 制程 DDR...
6 月 24 日消息，据韩国媒体 sedaily 当地时间本月 19 日的报道以及另一家韩媒 mk 今日的报道，三星电子第六代 10 纳米级（注：即 1c nm）dram 内存制造工艺，在设计优化等因素推动下，良率实现了显著提升。
SEDaily 报道指出，三星去年在 1c nm 内存上的良率尚不足 30%，而今年五月份进行的性能测试中，良率已上升至 50%~70%；MK 则提到了近期良率已超过 60% 的数据。
两家媒体均表示，此次良率大幅提升主要得益于重大的设计调整，尽...
8 月 12 日消息，科技媒体 wccftech 昨日（8 月 11 日）发布博文，指出 sk 海力士（sk hynix）为提升 ddr5 与高带宽存储（hbm）产品的性能，并在先进存储技术领域保持领先，正计划在 1c dram 的量产中引入六层极紫外光（euv）工艺。
报道称，这一技术方案不仅打破了现有行业规范，还将显著增强 DDR5 与 HBM 存储器的性能表现。根据博文内容，EUV 技术使用波长为 13.5 纳米的光源，能够实现更精密的电路图案刻画，有效减少传统多重曝光...
9月2日消息，hbm高带宽内存在ai时代愈发重要，价值不输高性能gpu本身，也是当前内存技术的制高点，目前生产主要集中在韩国sk海力士、三星及美国的美光公司手中。
国内的存储芯片企业一方面在扩增产能，一方面也在加快从DDR4到DDR5的技术升级，面对HBM内存当然也不会错过机会，韩国ZDNet Korea报道称长江存储YMTC正在联合长鑫存储CXMT合作研发HBM3内存。
两家分家是国内最大的闪存、内存芯片厂商，报道称最快今年底双方就可能订购针对HBM的研发设备。
此前长鑫存...
继美光宣布计划对DDR4和DDR5内存产品提价20%至30%后，三星也被曝出将在第四季度跟进涨价，预计涨幅达15%至30%。据知情人士透露，三星已向其主要客户发出通知，2025年第四季度内，DRAM产品中的LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X协议价格将上调15%以上，最高或达30%。
与此同时，NAND闪存类产品如eMMC和UFS的协议价也将迎来5%至10%的上涨。更引人关注的是，随着三星逐步缩减传统产品线，DDR4相关产能正加速退出，预计到2026年，其产能将锐减...
10月9日，据市场消息显示，韩国与美国的dram主要生产商已停止向企业客户报价长达一周，业界普遍预测，2025年第四季度将面临严重的dram供应短缺，市场价格或将迎来显著上扬。
分析指出，此次停报行为源于整体产业链的供应紧张，已触发全面调价机制。预计从本季度起，DRAM产品价格将持续攀升，整体涨幅或达30%。
其中，DDR4内存形势尤为严峻，未来三个季度的供应缺口预计将突破10%，其合约价最高可能上涨50%。
不仅限于内存领域，CPU、SSD及HDD等核心硬件也相继出现价格大...
