三星2nm工艺细节公布：能效提升8% 良品率不足60%

11月18日消息，据媒体报道，三星电子首次披露2nm工艺的量产进度及具体技术参数：相较于3nm制程，新工艺可实现5%的性能提升、8%的能效优化以及5%的芯片面积缩减。

尽管实际提升略低于市场预期，但此举表明GAA（全环绕栅极）晶体管架构在先进制程节点上的持续进步。

据悉，三星首款基于2nm工艺打造的SoC为其自研的Exynos 2600，当前良品率据传处于50%至60%之间。该芯片的实际量产表现将成为检验三星代工技术水平的关键指标，尤其在10nm以下高复杂度制程领域，良品率已成为赢得客户信任的核心要素。

目前全球晶圆代工格局仍由台积电主导，其以70.2%的市场份额稳居榜首。三星虽位列第二，但市占率为7.3%，与领先者差距明显。

为扭转局面，三星已为其代工业务设立新目标：计划通过提升2nm工艺良品率，并与高价值客户建立长期合作关系，力争两年内实现盈利，并夺取20%的全球市场份额。