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消息称三星电子有望初期独供英伟达桌面端 RTX 50 系显卡 GDDR7 显存

消息称三星电子有望初期独供英伟达桌面端 RTX 50 系显卡 GDDR7 显存
本站 11 月 26 日消息,韩国媒体 greened 当地时间本月 21 日表示,英伟达目前已决定在桌面端 geforce rtx 50 系显卡上仅使用来自三星电子的 gddr7 显存,而在移动端 rtx 50 上三星产品也是优先选项。 参考本站此前报道,AMD RDNA4 与英特尔 Battlemage 独立显卡预计均仍使用 GDDR6 显存,英伟达将成为首家导入 GDDR7 的大厂。SK 海力士 SK、美光都在今年推出了 16Gb 的高速 GDDR7,三星更是在 10...

三星电子官宣重大结构调整:全永贤出任联席 CEO,直辖存储器事业部

三星电子官宣重大结构调整:全永贤出任联席 CEO,直辖存储器事业部
本站 11 月 27 日消息,三星电子今日公布了 2025 年度重大组织与高管结构调整:存储器业务调整为 CEO 直辖部门;今年 5 月就任 DS 部门负责人的全永贤将出任企业联席 CEO,同时领导 DS、存储器业务并担任三星电子综合技术院(SAIT)负责人。 三星电子任命 Han Jinman 担任 DS 部 Foundry 业务部负责人,接替崔时荣(Choi Siyoung)。 新成立的 Foundry 业务部总裁级 CTO 职位由 Nam Seok W...

消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发,开始向量产线转移

消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发,开始向量产线转移
本站 12 月 9 日消息,韩媒 sedaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称,三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4xx 层第 10 代 3d v-nand 闪存的开发,并从上月开始将该技术转移至位于平泽 1 号工厂的量产线上。 参考本站此前报道,三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上介绍 4XX 层 1Tb TLC NAND。该产品采用晶圆键合技术,存储密度达 28 Gb/mm2,I/O 引脚速率达 5.6Gb/s。...

消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购,明年 2 月引进

消息称三星电子启动下代 1c nm DRAM 内存量产设备订购,明年 2 月引进
三星电子启动1c nm制程dram量产设备采购,计划明年2月投入生产!据韩媒zdnet报道,三星电子近期已向泛林集团等半导体设备厂商订购下一代1c nm制程dram的量产设备,预计明年2月运抵位于韩国平泽p4工厂的首条量产线。 虽然三星尚未公开1c nm(第六代10nm级制程)DRAM的相关信息,但据悉其试生产已取得成功,并获得首批合格晶粒。业内人士分析,三星初期投资规模不会过大,主要原因在于1c nm制程DRAM良率仍需进一步提升。待工艺成熟后,三星将追加投资。...

消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求,2024 年内难以向英伟达供应

消息称三星电子 HBM3E 内存性能未达要求,2024 年内难以向英伟达供应
本站 12 月 11 日消息,韩媒 hankooki 当地时间昨日表示,三星电子由于 8 层、12 层堆叠 hbm3e 内存样品性能未达英伟达要求,难以在今年内正式启动向这家大客户的供应,实际供货将落到 2025 年。 报道表示,三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品,但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。 韩媒援引消息人士的观点称,由于 SK 海力士在 HBM3E 上的领先地位,实际上为这一类型的利...

含全球首款 500Hz OLED 显示器,三星电子预告 CES 2025 发布系列显示新品

含全球首款 500Hz OLED 显示器,三星电子预告 CES 2025 发布系列显示新品
本站 1 月 2 日消息,三星电子韩国当地时间今日发布公告,宣布将在即将到来的 ces 2025 上带来 5 款显示器新品,其中不少搭载了业界顶尖技术。 本站在此简单介绍一下: 玄龙骑士 Odyssey OLED G6 (G60SF) 与 OLED G8 (G81SF) G60SF 是全球首款 500Hz 超高刷 OLED 显示器,打破了之前由 LG Display 面板产品实现的 480Hz 记录。该显示器搭载 27 英寸面板,支持 2560×1400 分辨率。 而 G...

因高层变动:英特尔、三星电子更换 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲人

因高层变动:英特尔、三星电子更换 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲人
ieee isscc 2025即将在美国旧金山举行,会议期间将有四位业界领袖发表演讲。由于英特尔和三星电子在2024年末的领导层变动,原定的演讲嘉宾英特尔前ceo帕特·基辛格和三星电子ds部门前存储器业务主管李祯培将不再出席。 英特尔已委派代工技术开发高级副总裁Navid Shahriari 作为新的演讲人,其演讲主题也从原定的“摩尔定律:推动AI时代的创新”调整为“AI时代创新矩阵”。三星电子则由DS部门总裁级首席技术官Song Jaihyuk 代替,其演讲主题“存储器技...

鼓励多技术路线探索,消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存

鼓励多技术路线探索,消息称三星电子准备开发传统结构 1e nm DRAM 内存
三星电子计划开发传统架构1e nm dram,实现内存技术多元化战略。据韩媒the bell报道,三星电子将于2028年推出采用常规结构的1e nm(第八代10纳米级)制程dram。此举旨在丰富技术储备,为未来商业化提供更多选择。 三星此前的计划是在2026年推出1d nm内存,随后于2027年推出基于4F² VCT创新结构的0a nm内存。但1e nm DRAM的研发,意味着4F² VCT DRAM的量产时间可能推迟到2029年甚至更晚。 ▲ 三星 1b nm 制程 DDR...

2025三星家电新品发布会将于3月21日启幕,邀您体验“有AI的科技·艺术·家”

2025三星家电新品发布会将于3月21日启幕,邀您体验“有AI的科技·艺术·家”
三星2025家电新品发布会将于3月21日晚7点盛大举行!届时,三星电子将在官方微博等多个平台同步直播,为您带来一场科技与艺术的盛宴。 本次发布会将重点展示三星在AI领域取得的突破性成果,包括全新一代智能显示设备和AI赋能的生活方式解决方案。备受瞩目的三星2025 Neo QLED 8K/4K、OLED电视以及新款The Frame画壁艺术电视等全线AI电视新品将惊艳亮相,同时,全面升级的三星AI神系列生活家电和三星显示器旗舰新品也将同步发布,开启“AI赋能的科技、艺术与生活...

消息称三星紧抓 2nm 工艺:美国晶圆厂考虑明年初导入设备、资源从 1.4nm 集中

消息称三星紧抓 2nm 工艺:美国晶圆厂考虑明年初导入设备、资源从 1.4nm 集中
6 月 24 日消息,据韩国媒体 zdnet korea 和 sedaily 昨日发布的两篇报道显示,三星电子将其晶圆代工业务中的 2nm 制程视为现阶段先进工艺发展的重中之重,在产能布局与资源配置方面给予了高度关注。 ZDNET Korea 报道指出,三星内部正探讨最早于 2026 年 1 至 2 月间,将用于 2nm 大规模生产的设备引入位于美国德州泰勒的晶圆厂。据了解,该工厂原本规划的是 4nm 工艺产线,但随着市场需求变化而调整为 2nm。 受先进制程尚未完全成熟的影...