10月13日消息，今年内存市场出现了一个罕见的价格倒挂现象：本应逐步退出市场的ddr4内存价格持续走高，甚至超过了更新一代的ddr5内存。
这一反常情况背后有多重原因。一方面，三星、SK海力士及美光三大原厂正加速向DDR5和HBM（高带宽存储器）等高利润产品转型，陆续缩减乃至计划停产DDR4产能，推动其生产重心转移至先进制程与高附加值产品线。
另一方面，尽管DDR4被视为上一代技术，但在工控、安防、嵌入式系统及部分服务器领域仍存在强劲的“刚性需求”，下游客户因产品生命周期和认...
10月15日消息，高性能ai计算不仅需要极强的gpu性能，内存带宽也逐渐成为瓶颈，hbm内存已经是必需品，明年会进入hbm4时代，再下一代则是hbm4e。
三星在HBM3、HBM3e时代都落后给了SK海力士，但从HBM4开始加速追赶，计划在HBM4e时代实现反超。为此，三星宣布将于2027年推出其新一代HBM4e内存，规格表现极为亮眼。
三星的HBM4e内存单引脚数据传输速率将至少达到13Gbps，在2048bit位宽下实现高达3.25TB/s的内存带宽，相较此前规划提升了2...
10月18日消息，最近发布的新一代安卓旗舰普遍用上了高速lpddr5x内存，明年应该会进入lpddr6时代了，速度冲上10gbps，三星的首款lpddr6内存已经在路上了。
根据三星的说法，该公司首款LPDDR6内存的引脚速度可达10.7Gbps，带宽将达到114.1GB/s，这下真的是PC级内存速度了。
作为对比的是，LPDDR5起步为6400Mbps，LPDDR5X提升至8533Mpbs，SK海力士自己做的LPDDR5T则能跑到9600Mbps。
三星首款LPDDR6内存...
10月19日，存储产业正面临一场史无前例的全面性缺货风暴。
威刚科技董事长陈立白近日表示，公司旗下DDR4、DDR5、NAND Flash以及HDD四大核心产品线首次同时陷入供应紧张局面。尽管已备有高达数百亿元新台币的库存，但从10月起仍不得不实施限量销售政策，优先确保关键客户的需求。
此次抢货潮的主角并非传统存储模组厂商或渠道商，而是来自资金实力雄厚的CSP（云服务提供商）巨头及OpenAI等前沿AI企业。
据陈立白透露，这些企业的订单均为自用性质，属于刚性需求，并无转售...
10月20日消息，近期内存与闪存价格持续攀升，作为全球存储芯片生产重镇的韩国，其两大行业巨头业绩迎来爆发。继三星电子之后，sk海力士第三季度营业利润也成功突破10万亿韩元大关。
SK海力士近日公布Q3季度财报预测，预计当季营收约为24.67万亿韩元，约合173.4亿美元，营业利润达11.34万亿韩元，相较第二季度的22.23万亿韩元营收和9.21万亿韩元营业利润实现显著增长。
相比之下，三星电子此前发布的Q3初步业绩显示，营业利润预计为12.1万亿韩元，约合85亿美元，超出市...
10月21日，jedec正式宣布jesd328标准规范已进入最后阶段，即将发布一种全新的内存形态——socamm2（small outline compression attached memory module），专为下一代ai与数据中心平台打造。
该标准定义了一种基于LPDDR5和LPDDR5X技术的矮型、可更换、可升级内存模块，具备更高带宽、更低功耗以及更强的扩展能力，适用于高性能计算场景。
单针脚数据传输速率最高可达9.6Gbps（即9600MT/s），相比当前主流...
10月21日讯，ai芯片制造对算力的巨大需求，正引发一场前所未有的内存供应危机。
据悉，随着众多芯片制造商将生产线重点转向HBM内存和AI加速芯片的生产，原本用于智能手机、笔记本电脑及服务器的通用型DRAM内存出现供需失衡，市场陷入严重短缺状态。
业内多家企业透露，近两个月来已出现明显的囤货抢购与重复下单行为，进一步加剧了供应紧张，推动DRAM价格迅速攀升。
根据市场研究机构TechInsights发布的数据，9月份DRAM现货市场价格同比涨幅接近300%，远高于今年上半年个...
10月21日最新消息，今年双11大促已经拉开帷幕，但PC爱好者却难言喜悦。近期内存与SSD价格持续飙升，几乎一天一变，涨幅惊人，使得原本期待的双11折扣显得微不足道。
此次涨价潮中，PC用户再次成为间接受害者。根本原因在于AI技术迅猛发展，特别是HBM高带宽内存需求激增，迫使三星、SK海力士和美光等巨头将更多产能转向利润更高的HBM产品，从而压缩了普通DRAM内存的供应量。
此外，DDR4内存的产能逐步退出也是推高价格的重要因素。随着三星等主要厂商陆续停止生产DDR4，而诸...
10月22日，sk海力士新一代ddr5内存芯片的相关信息在网络上曝光，代号为“x021”，并带有全新的零件编号“akbd”。
据科技媒体unikoshardware分析，芯片上标注的“X021”意味着这是第二代3Gb A-Die产品，预计将接替当前广泛用于早期DDR5内存模组中的3Gb M-Die芯片。
尽管SK海力士尚未正式发布这款第二代3Gb DDR5 A-Die，但依据其历史命名规则——例如EB、GB、HB等代码分别对应JEDEC标准频率4800MT/s、5600MT/...
10月23日，一场前所未有的内存短缺正在席卷全球市场。
根据《韩国经济日报》的报道，由人工智能推动的存储“超级周期”可能比以往任何一次行业繁荣都更加持久且强劲。
包括三星电子和SK海力士在内的主要内存制造商计划在2023年第四季度上调产品报价，DRAM与NAND闪存的价格涨幅或将达到30%。 此举旨在应对AI应用带来的存储芯片需求爆发，同时提高第六代HBM（高带宽内存）的盈利水平。
随着各大半导体厂商将生产线资源优先转向HBM内存及AI加速器芯片的生产，原本用于智能手机、笔...