11 月 3 日消息，据 TheLec 报道，英伟达首席执行官黄仁勋对韩国存储芯片产业给予高度评价，并强调与三星电子及 SK 海力士的深度合作关系。
在韩国庆州出席亚太经合组织（APEC）工商领导人峰会并发表主旨演讲后，黄仁勋于一场新闻活动中表示，韩国是全球存储技术领域最领先的国家之一。
他指出，三星电子与 SK 海力士长期作为英伟达的重要合作伙伴，目前正共同推进高带宽存储器（HBM）的技术研发。这两家韩国企业为英伟达最新一代 AI 处理器（如 Blackwell 系列）提...
11月3日资讯，euv工艺已成为5nm节点之后不可或缺的关键技术。目前全球仅荷兰asml能够制造euv光刻机，而在euv光刻胶领域，日本则展现出强大优势。面向2nm及更先进制程，日本三大化工巨头正加速产能扩张。
东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo）近日宣布，将投资200亿日元（约1.3亿美元）在韩国平泽建设一座光刻胶生产基地，计划于2030年投入运营。
平泽聚集了三星、SK海力士等主要半导体制造商，是全球重要的芯片生产中心。新工厂建成后，东京应化的韩国产能预计将提...
11月4日，在韩国举行的SK AI峰会中，SK海力士披露了其未来存储技术的发展蓝图。作为全球三大存储原厂之一，SK海力士在行业内的技术导向作用不容小觑。
根据公布的信息，存储领域的下一个关键转折点预计将在2029至2031年间到来，尤其集中在2030年前后，届时多项核心技术标准将迎来全面革新。
在传统内存领域，DDR6与GDDR8的研发已悄然展开。其中，DDR6的进度更为领先，三大存储厂商均已完成了原型设计，并进入验证测试阶段。初步规格显示，其起始频率将高达8800MT/s...
在这场上游成本飙升的冲击下，消费者换机成本显著上升。尤其在新旗舰机型中，不同内存版本之间的差价动辄上千元，部分机型甚至出现超过2000元的价格差距。面对如此悬殊的定价，是否还值得为“新”而买单？
1 内存为何暴涨？三大因素推高成本
1. AI爆发引爆高端存储需求
生成式AI、大模型训练和推理对高带宽内存（HBM）的需求激增，三星、SK海力士等厂商将大量原本用于DDR4的产能转向HBM生产，导致消费级DRAM供应紧张。SK海力士和美光的库存周期已压缩至仅2周，远低于行业平均的...
快科技11月3日讯，慧荣科技总经理苟嘉章在近期接受采访时谈到，随着人工智能应用的迅猛发展，全球存储产业正面临一场结构性、长期性的严重缺货局面。
他表示，三大DRAM原厂——SK海力士、三星与美光，以及包括铠侠、长江存储在内的NAND闪存供应商，目前产能已被全部预订一空。
苟嘉章透露，当前市场供需缺口已从原先预测的七到八成进一步扩大至翻倍水平。尽管存在客户重复下单的情况，但由于整体供给严重不足，明年仍无法缓解缺货态势，市场真正迎来转折点可能要等到2027年下半年。
他强调，S...
今年以来，全球内存与存储芯片价格持续上涨，已对智能手机等终端设备带来了明显冲击。近日，cnmo注意到，这一涨价趋势预计将持续至2026年。
11月3日，小米通讯技术有限公司产品行销总监马志宇在社交平台发文表示，刚看到公司针对2026年的最新成本预测，结果“令人震惊”。他指出，所有采用内存的设备都将受到波及，尤其是PC类产品因内存使用量较大，受影响更为显著。
据《韩国经济日报》报道，三星电子和SK海力士等主要供应商计划于2025年第四季度继续上调DRAM与NAND闪存产品的...
11 月 4 日消息，关于存储芯片涨价的传闻早已在市场上发酵。据《韩国经济新闻》在2025年10月的报道，业内知情人士透露，三星、sk海力士等核心存储原厂已正式通知客户，计划于2025年第四季度将dram与nand闪存的合约价格上调最高达30%。
面对这一趋势，小米通讯技术有限公司产品行销总监马志宇近日在社交平台发文感慨：
刚刚看到明年最新的成本预估，有点惊悚……嗯，就是这次双十一，如果还能叠加国补，就且买且珍惜吧
他还补充道：“其实用内存的都涉及，只是 PC 的内存相对最...
当前内存市场正面临前所未有的动荡，AI技术的迅猛发展引发算力需求井喷，叠加数据中心大规模扩张、原厂库存持续走低以及DDR4产能加速退出等多重压力，普通消费者正被迫承担不断攀升的成本。
更令人关注的是，《电子时报》援引产业链消息指出，原定于10月底结束的第四季度内存合约价谈判，三星可能将推迟至11月中旬才能最终敲定。
这一延迟背后，是三星向下游客户发出的“无货可卖”警告。市场随即剧烈反应——据报告，DDR内存现货价格在短短一周内暴涨25%。
除三星外，SK海力士与美光也被曝暂...
11月9日消息，三星宣布将在ces 2026上展示全球首款lpddr6内存，初始速率即达到10.7gbps，也可表述为10.7gt/s或10.7ghz。
LPDDR6内存规范于今年7月正式发布，采用双子通道架构设计。尽管JEDEC未公开具体的速率指标，但据传其起步速率为10.7Gbps，最高可扩展至14.4Gbps。
作为对比，LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5及LPDDR5X的起始传输速率分别为3200Mbps、4266Mbps、6400Mbps和8533Mbps。...
11月10日，据相关报道，全球知名存储品牌sandisk（闪迪）于本月将nand flash闪存的合约价大幅调涨50%，引发业界高度关注。
这一价格调整并非个例。早在今年10月，三星电子便传出暂停DDR5内存合约报价的消息，随后SK海力士、美光等主要DRAM制造商也相继跟进，造成DRAM供应链出现显著供货紧张。部分急需芯片的企业不得不转向现货市场紧急采购，致使DDR5现货价格在短短一周内暴涨25%。
此次闪迪大幅上调NAND Flash价格，已对下游产业链带来明显冲击。多家存...